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SMI晶振,温补晶振,SXO-2016晶振,平板电脑晶振

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产品简介

温补晶振(TCXO)产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5PPM-2.0PPM,工作温度范围:-30度至85度,电源电压:1.8V-3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

产品详情

TC-1

SMI晶振,温补晶振,SXO-2016晶振,平板电脑晶振.贴片式石英晶体振荡器,低电压启动功率,并且有多种电压供选择,比如1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,产品被广泛应用于,平板笔记本,GPS系统,光纤通道,千兆以太网,串行ATA,串行连接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET发射基站等领域.符合RoHS/无铅.

晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一.

TC-2


SMI晶振

SXO-2016晶振

输出类型

CLIPPED SINE

振荡模式

基本/第三泛音

电源电压

+1.8V~+3.3V

频率范围

13~52MHz

频率稳定度

±2ppm

工作温度

-30~+85℃,-40~+85℃

保存温度

-40~+85℃

电压卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

启动时间

5 ms Max.

相位抖动(12兆赫~20兆赫)

1个PS最大.

老化率

±3 ppm /年最大.

TC-3

SXO-2016_2016

TC-4晶振使用注意事项

使用晶振时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.

2016晶振单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).

负载电容

振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用晶振之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

输出负载

建议将输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20mm范围之间).

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的贴片晶振单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

静电

过高的静电可能会损坏小型SMD晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.

SXO-2016

TC-5

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