您好!欢迎进入来到康华尔电子TXC晶振专营!

首页 TXC资讯

Microchip高性能晶体振荡器DSC1001CI1-025.0000为国防和通信设备提供极佳解决方案

2023-04-26 16:15:31 

Microchip高性能晶体振荡器DSC1001CI1-025.0000为国防和通信设备提供极佳解决方案,microchip Technology Incorporated这是一家为频率元器件提供完美解决方案的知名企业,同时也是一家技术领先的控制解决方案供应商。主要向世界各地提供性能优越,成本低的SMD晶振产品,并以高于用户满意度为最大的前提,通过使用的开发工具和全面的产品组合使客户能够创建最佳设计,从而降低风险,该公司的解决方案服务于工业、汽车、消费、航空航天和国防、通信和计算市场的120,000多家客户,微芯片提供卓越的技术支持以及可靠的交付和质量.

Manufacturer Part Number原厂代码 Manufacturer品牌 Series型号 Part Status Type 类型 Frequency 频率 Voltage - Supply电压 Ratings
DSC6111CI2A-012.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 12MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6102CI2A-100.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 100MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6101CI2A-050.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 50MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6101CI2A-025.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 25MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6003JI2A-048.0000 Microchip晶振 DSC60XX Active MEMS (Silicon) 48MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6101JI2A-026.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 26MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6101JI2A-048.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 48MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6003JI2A-016.0000 Microchip晶振 DSC60XX Active MEMS (Silicon) 16MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC6101JI2A-012.2880 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 12.288MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6101JI2A-050.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 50MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6102JI2A-100.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 100MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6111JI2A-024.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 24MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6101JI2A-012.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 12MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC6101JI2A-027.0000 Microchip晶振 DSC6100 Active MEMS (Silicon) 27MHz 1.71 V ~ 3.63 V AEC-Q100
DSC1121CI2-050.0000 Microchip晶振 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 50MHz 2.25 V ~ 3.6 V AEC-Q100
DSC1121CI2-025.0000 Microchip晶振 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V AEC-Q100
DSC1121BI2-025.0007 Microchip晶振 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 25.0007MHz 2.25 V ~ 3.6 V -
DSC1121AE2-025.0000 Microchip晶振 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V AEC-Q100
DSC1101CI1-025.0000 Microchip晶振 DSC1101 Active MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V -
DSC1001CC1-008.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 8MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1101DL1-027.0000 Microchip晶振 DSC1101 Active MEMS (Silicon) 27MHz 2.25 V ~ 3.6 V -
DSC1001CE1-066.6666 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 66.6666MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001CE1-019.2000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 19.2MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1033CE2-022.5792 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 22.5792MHz 3.3V -
DSC1001DI1-004.9152 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 4.9152MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1033AE1-024.0000 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 24MHz 3.3V -
DSC1001AC1-027.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 27MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1033CE2-074.2500 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 74.25MHz 3.3V -
DSC1033BE1-050.0000 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 50MHz 3.3V -
DSC1001AC1-008.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V AEC-Q100
DSC1033DI1-048.0000 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 48MHz 3.3V -
DSC1001DI1-012.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 12MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001DI1-048.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 48MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1033DI1-064.0000 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 64MHz 3.3V -
DSC1033DI1-025.0000 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 25MHz 3.3V -
DSC1033CI1-008.1920 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 8.192MHz 3.3V -
DSC1033DI1-050.0000 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 50MHz 3.3V -
DSC1033DI1-024.0000 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 24MHz 3.3V -
DSC1033DI1-016.0000 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 16MHz 3.3V -
DSC1001DI1-020.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 20MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001CI1-025.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 25MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1033BI2-027.1200 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 27.12MHz 3.3V -
DSC1001DI1-032.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 32MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1033DI1-029.4912 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 29.4912MHz 3.3V -
DSC1001AE1-027.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 27MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001AE1-014.3182 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 14.3182MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001AE1-024.5761 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 24.5761MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001AE1-054.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 54MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001AE1-003.6864 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 3.6864MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BE2-010.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 10MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001AE1-055.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 55MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1033CI1-001.0000 Microchip晶振 DSC1033 Active MEMS (Silicon) 1MHz 3.3V -
DSC1004AI2-001.0000 Microchip晶振 DSC1004 Active MEMS (Silicon) 1MHz 1.8 V ~ 3.3 V -
DSC1001CI1-003.6864 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 3.6864MHz 1.7 V ~ 3.6 V AEC-Q100
DSC1001DI1-038.4000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 38.4MHz 1.7 V ~ 3.6 V AEC-Q100
DSC1001AI2-064.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 64MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BI1-048.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 48MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001CI2-001.9521 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 1.9521MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001CI2-010.4857 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 10.4857MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001CI2-008.1920 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 8.192MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001AI1-033.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 33MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BI1-010.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 10MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BI1-020.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 20MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BI1-024.5760 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 24.576MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BI1-027.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 27MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BI2-014.3181 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 14.3181MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BI2-014.7456 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 14.7456MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BI2-016.3840 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 16.384MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BI2-040.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 40MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001AI2-001.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 1MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
DSC1001BI1-024.0000 Microchip晶振 DSC1001 Active MEMS (Silicon) 24MHz 1.8 V ~ 3.3 V AEC-Q100
编码DSC1001CI1-025.0000,尺寸为3225mm,频率为25MHz,DSC1101和DSC1121系列高性能晶体振荡器利用成熟的硅MEMS技术,在宽电源电压和温度范围内提供出色的抖动和稳定性。通过消除对石英或SAW技术的需求,MEMS振荡器显著提高了可靠性并加快了产品开发,同时满足各种通信、存储和网络应用的严格时钟性能标准。DSC1101具有待机特性,当en引脚被拉低时,它可以完全关断;而对于DSC1121,当en为低电平时,仅输出禁用。两款振荡器均采用工业标准封装,包括小型3.2毫米x 2.5mm毫米,是标准4引脚CMOS石英晶体振荡器的替代产品。

DSC1101 21Microchip高性能晶体振荡器DSC1001CI1-025.0000为国防和通信设备提供极佳解决方案,产品特性:低均方根相位抖动:< 1 ps(典型值。),高稳定性:10、25、50 ppm,汽车:-55摄氏度至125摄氏度,延伸文件系统工业级:-40摄氏度至105摄氏度,工业级:-40摄氏度至85摄氏度,延伸文件系统商用:-20摄氏度至70摄氏度,高电源噪声抑制:-50dBc,宽频率。范围:2.3至170兆赫。2.5毫米x 2.0mm毫米、3.2毫米x 2.5mm毫米、5.0毫米x 3.2mm毫米和7.0毫米x 5.0mm毫米,符合军用标准883,MTF比石英晶体振荡器高20倍,低电流消耗,电源电压范围为2.25V至3.6V,待机和输出使能功能,无铅且符合RoHS标准.

  • 应用程序:存储区域网络,SATA、SAS、光纤通道 无源光网络 - EPON,10G-EPON,V GPON,10G-PON 以太网 - 1G、10GBASE-T/KR/LR/SR和FCoE 高清/标清/SDI视频和监控,PCI Express,显示端口.

网友点评