关于晶振的负载电容计算以及应用说明

关于晶振的负载电容计算以及应用说明

基本模式：水晶的主要模式.

支架：一个外壳,内有一块薄薄的石英晶体或带有真空蒸发金属电极的晶体条和用于连接的端子.

等效串联电阻：晶体在工作谐振电路中表现出的阻抗值.

工作温度范围：晶体单元在特定条件下工作的温度范围.

频率：每秒发生的输出波形的周期数.频率单位是每秒周期数,或赫兹,缩写为Hz.

频率稳定性：在指定温度范围(即0至+70℃)下,与25℃时的测量频率相比,允许的最大频率偏差.

频率容差：室温下允许的标称频率偏差.频率容差以百分比表示,典型值±0.005％或百万分之几(ppm),±50ppm.

杂散：通常高于工作模式的不需要的谐振,以dB max为单位.或ESR的次数.必须指定频率范围.例如,在F0±200kHz的频率窗口中,杂散响应应至少为6dB或2.5×R.

负载电容：负载电容(CL)是振荡器对两个晶体端子的总电容量.当晶振晶体以并联模式使用时,需要指定负载电容.负载电容计算如下：

Cstray可能从2pF到6pF不等.

振动模式：石英晶振晶体的振动模式随晶体切割而变化,例如用于AT切割和BT切割的厚度剪切,或用于音叉晶体(+5oX)切割的弯曲模式,或用于CT,DT切割的面剪切模式.最受欢迎的切割是AT切割,它在很宽的温度变化范围内提供对称的频移.

可移动性：作为并联谐振晶体中的负载电容CL的函数的频率变化.可拉性是并联电容Co运动电容C1和晶体尺寸的函数.

串联谐振：串联谐振在谐振时阻抗最小时发生.它的串联谐振等效电路是一个电阻器.

绝缘电阻：晶体引线之间或引线和外壳(金属外壳)之间的电阻.它使用100V±15V的直流电压进行测试,绝缘电阻在500兆欧的范围内.

品质因数：是运动电感,共振频率和ESR的质量函数.它通常在十到一百的范围内.

晶体等效电路

示出了石英晶体,贴片晶振的等效电路,以解释控制晶体特性和性能的基本元素.它由运动电容C1,电感L1,串联电阻R1和分流电容C0组成.前三个参数被称为石英晶体元件的“运动参数”.

驱动电平：电路中晶体所经历的功耗量.驱动电平以毫瓦或微瓦表示.过高的驱动电平将导致长期频率漂移或晶体断裂.

泛音模式：根据指定的振荡模式为频率分配的奇数.标准的第三泛音模式,然后是第五,第七,第九等.超越第九泛音是不切实际的.频率不是基频的三倍,五倍,七倍或九倍.

分流电容：分流电容(CO)是晶体端子之间的电容.它随封装而变化,通常在SMD晶振(典型值为4pF)时较小,在含铅晶体中为6pF.

老化：一段时间内的相对频率变化.这种频率变化率通常是指数性的.通常,老化是在前30天内计算出来的,并且是长期(一年或十年)计算的.最高老化率发生在手术的第一周内,之后缓慢下降.