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美国Silicon32.768KHZ有源振荡器

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浏览:- 发布日期:2023-08-31 14:02:21【
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美国Silicon32.768KHZ有源振荡器,美国Silicon公司成立至今已有几十年的发展历程,致力于为用户提供完美的晶振解决方案,公司主要产品有贴片晶振,石英晶振,石英晶体振荡器,差分晶振等元器件,一直以来坚持始终坚持初心,并以”质量为本,客户为先”为发展理念.依靠先进的生产设备,丰富的成功经验,使得Silicon公司规模快速扩大,成为美国排名前十的晶振厂家之一,并在中国,德国,新加坡,英国等国家设立多个销售点.

该器件基本上是用于数据中心,通信,视频广播应用的可编程晶振.SiliconLabs还结合了在系统内输出和分配时钟信号网络(也称为时钟树)所需的所有电子设备.威尔逊说,该产品"降低了供应链的复杂性,因为它来自单一供应商."该公司的时钟发生器使用55纳米CMOS代替SiGe或BiCMOS.

70年代石英表的繁荣表明:当谈到精确的时间记录时,没有什么比石英晶体更好了!这在今天没有什么不同。带的频率控制产品特征频率为32.768千赫几乎可以在所有集成时间测量的应用中找到,例如笔记本电脑、手机或微波炉。

在其Si501系列,Silicon提供各种尺寸的SMD音叉晶体,用于连接微控制器或RTC元件。然而,设计电路需要精确性,以确保元件的可靠功能。例如,必须特别注意确保负载电容正确匹配。

32.768kHz振荡器的优势

如果您不想费力为音叉晶体设计正确的电路,您可以依靠Silicon的32.768kHz晶体振荡器,它们都配有CMOS兼容输出信号。这种轨到轨输出可以非常容易地连接到所有常见的微控制器和RTC器件。

原厂代码 品牌 型号 频率 电压 频率稳定度
501JAA24M0000DAF Silicon振荡器 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAF Silicon振荡器 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAF Silicon振荡器 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501AAA27M0000CAF Silicon振荡器 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000BAF Silicon振荡器 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA40M0000CAF Silicon振荡器 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501AAA24M0000BAF Silicon振荡器 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000CAF Silicon振荡器 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000BAF Silicon振荡器 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000BAF Silicon振荡器 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA25M0000BAF Silicon振荡器 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000BAF Silicon振荡器 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501AAA50M0000CAF Silicon振荡器 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000DAG Silicon振荡器 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAG Silicon振荡器 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501HCA27M0000DAF Silicon振荡器 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000BAF Silicon振荡器 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501HCA12M0000DAF 美国Silicon晶体振荡器 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA24M0000DAF Silicon振荡器 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501AAA24M0000BAG Silicon振荡器 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BCA16M0000BAF Silicon振荡器 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAF Silicon振荡器 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501HCA26M0000BAF Silicon振荡器 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JAA25M0000BAG Silicon振荡器 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501BCA16M0000CAF Silicon振荡器 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501EAA48M0000CAG Silicon振荡器 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BAA16M0000BAG Silicon振荡器 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000CAG Silicon振荡器 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000BAG Silicon振荡器 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501AAA27M0000BAG Silicon振荡器 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501ACA10M0000CAF Silicon振荡器 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JAA40M0000BAG Silicon振荡器 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501ACA10M0000BAF Silicon振荡器 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA10M0000BAF Silicon振荡器 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501HCA12M0000BAF Silicon振荡器 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA25M0000CAF Silicon振荡器 Si501 25MHz 3.3V ±20ppm
501HCA27M0000BAF Silicon振荡器 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501AAA50M0000BAG Silicon振荡器 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501ABA8M00000BAG Silicon振荡器 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501HCA27M0000DAG Silicon振荡器 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000CAG Silicon振荡器 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501JCA10M0000BAG Silicon振荡器 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501ACA10M0000BAG Silicon振荡器 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA20M0000CAG Silicon振荡器 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000BAG Silicon振荡器 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000CAG Silicon振荡器 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000DAF Silicon振荡器 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000CAF Silicon振荡器 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000BAF Silicon振荡器 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768DAF Silicon振荡器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768DAF Silicon振荡器 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCAM032768CAF Silicon振荡器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768BAF Silicon振荡器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768CAF Silicon振荡器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768CAG Silicon振荡器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
500DLAA125M000ACF Silicon振荡器 Si500D 125MHz 2.5V ±150ppm
500DLAA200M000ACF Silicon振荡器 Si500D 200MHz 2.5V ±150ppm
510CBA100M000BAGR Silicon振荡器 * - - -
510CBA125M000BAGR Silicon振荡器 * - - -
510CBA25M0000BAGR Silicon振荡器 * - - -
510GBA100M000BAGR Silicon振荡器 * - - -
510GBA125M000BAGR Silicon振荡器 * - - -
510GBA25M0000BAGR Silicon振荡器 * - - -
510CBA100M000AAGR Silicon振荡器 * - - -
510CBA125M000AAGR Silicon振荡器 * - - -
510CBA25M0000AAGR Silicon振荡器 * - - -
510GBA100M000AAGR Silicon振荡器 * - - -
510GBA125M000AAGR Silicon振荡器 * - - -

低电流消耗得益于音叉晶体

这Si50132.768kHz振荡器,例如,非常容易使用。它内部使用音叉晶体,因此具有特别低的电流消耗。此外,它可以在1.8V至3.3V的可变工作电压下工作,这使得它特别适合电池供电的应用。由于音叉晶体的使用,其输出频率在很大程度上取决于工作温度。美国Silicon32.768KHZ有源振荡器.

AT切割石英空白确保更少的温度依赖性

然而,与音叉晶体相比,振荡器的易用性并不是该器件的唯一优势。上述输出频率和工作温度之间的关系说明了振荡器的使用Si501 32.768K时钟晶振。 这些振荡器使用所谓的AT切割石英毛坯而不是音叉晶体,所以它们的输出频率对工作温度的依赖性要小得多。

下图显示了这种差异,使用的温度范围为-40°C至+85°C。

图13


很容易看出,高温和低温会在音叉晶体中引起相对较大的频率偏差(实线)。然而,使用AT切割石英坯件的振荡器曲线(虚线)显示出小得多的误差。

再精确不过了:32.768 kHz TCXOs

这Si501Silicon提供更好的频率稳定性。这是32.768千赫有源晶振,在-40°C至+85°C的温度范围内提供高达+/- 5ppm的无与伦比的频率稳定性,产品采用小型CSP封装。

其出色的频率稳定性是通过精确的温度补偿实现的,该补偿在生产过程中的多个温度下执行。这种工厂“微调”也使得这种32.768kHz振荡器对工作电压的波动非常不敏感。在1.5V至3.63V范围内,工作电压的变化不会影响频率稳定性。仅几A的极低电流消耗也令人瞩目。

下图显示:Si501的频率稳定性远优于音叉晶体的典型稳定性。这使得Si501成为需要长时间稳定时序功能的应用的理想选择。此外,Si501的微型尺寸和特别低的功耗使其成为电池供电便携式设备的正确选择,如医疗测量仪器、传感器或可穿戴设备。


图14

底线是:与经典音叉晶体相比,32.768kHz振荡器有一些主要优势:它们更容易使用,并且由于温度补偿和AT切割石英坯的使用,根据型号的不同,比经典音叉晶体更精确。然而,音叉晶体仍然是需要的:在适当设计的电路中,它们也能确保稳定的频率。

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