艾博康OSC晶振编码ASD1-25.000MHZ-EC-T常用于小型设备应用，主流的艾博康晶振产品一直备受市场的欢迎，这是一家非常积极主动创新型的晶振品牌，凭借着对于行业独特见解，开发一系列高质量，低抖动，低电压的有源晶振产品，并得到市场广泛的认可，编码ASD1-25.000MHZ-EC-T，型号ASD，XO时钟振荡器，贴片有源晶振，小尺寸振荡器2520mm,频率为25MHZ，电压为3V，工作温度-20°C~+70°C，产品特征：低高度1.0mmmax，低电流消耗，三态功能，适用于符合RoHS标准的回流管，严格的稳定性选项，接缝密封包装保证，高可靠性，产品应用范围：用于录像机的CCD时钟，设备连接到PC或PC卡，轻薄的设备.

IBIS模型是一个紧凑和安全的标准，用于模拟较大电路中的振荡器。希望模拟振荡器性能的系统级设计人员可以利用Abracon提供的IBIS模型来简化和加快设计过程。下面的图1显示了Abracon的ASDDV系列CMOS晶体振荡器IBIS模型的示例摘录。艾博康OSC晶振编码ASD1-25.000MHZ-EC-T常用于小型设备应用.

IBIS模型表示经过缓冲后的被表示电路的输入和输出，正如系统的其余部分所看到的那样。为了实现这一点，IBIS模型保存行为信息，如电流与电压和电压与时间的关系，但不保存任何结构信息。这种保存数据的方法在建模振荡器时具有信息安全方面的优势，因为需要提取的集成电路(IC)数据很少。这种保存数据的方法的另一个优点是，它需要较少的处理能力来确定输入/输出动态，从而允许更快的模拟和分析。

原厂编码	晶振厂家	型号	类型	频率	电压	工作温度
ASTMKJ-32.768KHZ-MP-DCC-T	Abracon晶振	ASTMKJ	MEMS (Silicon)	32.768kHz	1.2 V ~ 3.63 V	-10°C ~ 70°C
ASTMKJ-32.768KHZ-LQ-DCC-T	Abracon晶振	ASTMKJ	MEMS (Silicon)	32.768kHz	1.5 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C
ASTMKJ-32.768KHZ-LQ-D26-T	Abracon晶振	ASTMKJ	MEMS (Silicon)	32.768kHz	1.5 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C
ASTMLPA-25.000MHZ-EJ-E-T	Abracon晶振	ASTMLP	MEMS (Silicon)	25MHz	2.25 V ~ 3.63 V	-20°C ~ 70°C
ASVMB-20.000MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASVMB	MEMS (Silicon)	20MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASDMB-5.000MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASDMB	MEMS (Silicon)	5MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASVMB-40.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASVMB	MEMS (Silicon)	40MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASEM1-30.000MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEM	MEMS (Silicon)	30MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C
ASEM1-60.000MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEM	MEMS (Silicon)	60MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C
ASEM1-24.576MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEM	MEMS (Silicon)	24.576MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C
ASEM1-27.000MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEM	MEMS (Silicon)	27MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C
ASEM1-14.7456MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEM	MEMS (Silicon)	14.7456MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C
ASEM1-29.4912MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEM	MEMS (Silicon)	29.4912MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C
ASEM1-11.0592MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEM	MEMS (Silicon)	11.0592MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C
ASEM1-20.000MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEM	MEMS (Silicon)	20MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C
ASEM1-14.31818MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEM	MEMS (Silicon)	14.31818MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C
ASEM1-18.432MHZ-LC-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEM	MEMS (Silicon)	18.432MHz	3.3V	-40°C ~ 85°C
ASTMLPA-18-16.000MHZ-LJ-E-T	Abracon晶振	ASTMLP	MEMS (Silicon)	16MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C
ASD1-25.000MHZ-EC-T	Abracon晶振	ASD	XO (Standard)	25MHz	3V	-20°C ~ 70°C
ASDMB-50.000MHZ-40-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASDMB	MEMS (Silicon)	50MHz	1.8 V ~ 3.3 V	0°C ~ 70°C
ASDMB-20.000MHZ-40-T	美国艾博康晶振	Pure Silicon™ ASDMB	MEMS (Silicon)	20MHz	1.8 V ~ 3.3 V	0°C ~ 70°C
ASFLMB-14.31818MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	14.31818MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFLMB-1.8432MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	1.8432MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFLMB-12.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	12MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFLMB-44.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	44MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFL3-11.0592MHZ-EK-T	Abracon晶振	ASFL3	XO (Standard)	11.0592MHz	1.8V	-20°C ~ 70°C
ASFLMB-32.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	32MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFLMB-29.4912MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	29.4912MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFLMB-50.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	50MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFLMB-6.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	6MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFLMB-4.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	4MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFLMB-18.432MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	18.432MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFLMB-1.544MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	1.544MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFL3-8.000MHZ-EK-T	Abracon晶振	ASFL3	XO (Standard)	8MHz	1.8V	-20°C ~ 70°C
ASFLMB-16.384MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	16.384MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASFLMB-7.3728MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASFLMB	MEMS (Silicon)	7.3728MHz	1.8 V ~ 3.3 V	-40°C ~ 85°C
ASVMPC-27.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASVMP	MEMS (Silicon)	27MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASVMPC-24.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASVMP	MEMS (Silicon)	24MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASVMPC-26.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASVMP	MEMS (Silicon)	26MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASVMPC-13.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASVMP	MEMS (Silicon)	13MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASEMPC-26.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEMP	MEMS (Silicon)	26MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASEMPC-25.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEMP	MEMS (Silicon)	25MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASEMPC-10.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEMP	MEMS (Silicon)	10MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASEMPC-24.576MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEMP	MEMS (Silicon)	24.576MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASVMPC-50.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASVMP	MEMS (Silicon)	50MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASEMPC-50.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEMP	MEMS (Silicon)	50MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASVMPC-25.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASVMP	MEMS (Silicon)	25MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASEMPC-13.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEMP	MEMS (Silicon)	13MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASEMPC-24.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEMP	MEMS (Silicon)	24MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASEMPC-20.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEMP	MEMS (Silicon)	20MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C
ASEMPC-60.000MHZ-LR-T	Abracon晶振	Pure Silicon™ ASEMP	MEMS (Silicon)	60MHz	2.25 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C

IBIS代表输入/输出缓冲区信息规范。因此，IBIS模型描述了输入和输出缓冲器之外电路的其余部分所看到的石英晶体振荡器的模拟行为。这些缓冲器将建模部件的内部组件与电路的其余部分分开，因为振荡器的每个焊盘都可以表示为等效电路。图2显示了一个简化的设计模型，它将内部振荡器电路与它所包含的更大的系统隔离开来。

该模型使用电源和地钳来确保电压相对于振荡器Vdd和地保持在可接受的范围内。这也意味着等效电路可以表示为封装电阻、电感和电容。每个pad的行为信息被保存下来，以确定它将如何与电路的其余部分相互作用。这包括电流与电压的关系，如上拉、下拉、电源箝位和地箝位信息，以及电压与时间的数据，如上升和下降波形。

IBIS模型可以共享有关有源晶振振荡器行为的信息，同时很少透露有关IC设计的信息。与其他仿真模型相比，IBIS模型不保存有关IC的任何结构信息，因此降低了IC组件和设计被识别的风险。
用户可以检查振荡器产品结构模型的内部方面。然而，IBIS模型是行为模型，这意味着它们记录电流、电压和时间之间的关系，以便在模拟电路中重复。这允许振荡器的性能被纳入一个更大的系统的设计，而不透露振荡器本身的组成的任何细节。表1是IBIS摘录，显示Abracon的ASDDV系列CMOS振荡器的上升输出波形。

表1中的信息绘制在图3中。图4绘制了相应的下降波形。

IBIS模型允许比结构模型更快的模拟。基于经验测量，IBIS模型将行为信息保存为查找表，如表1所示。这些查找表描述了振荡器对电路其余部分的反应，例如输入I-V关系和输出波形(V-T)。这为软件提供了预先测量的结果，而不是要求它计算复杂IC内组件之间的相互作用，提供与结构模型相同的功能，同时只需要一小部分处理能力。

与普通结构模型相比，使用IBIS模型来表示晶体振荡器oscillator Crystal可以实现更快、更安全的模拟。这是有价值的，因为它允许制造商更自由地共享其产品的仿真工具，设计师可以快速轻松地计算振荡器在其设计中的效果。Abracon验证IBIS模型，以确保它们符合IBIS Open Forum标准，以确保我们产品的仿真可靠性。