鸿星晶振,T1SB晶振,贴片晶体

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鸿星晶振, T1SB晶振,石英晶振

频率：19.2/26/38.4/52MHz

尺寸：2.0*1.6mm

石英贴片晶振真空退火技术:晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

订购热线：0755-27838351

T1SB

鸿星晶振, T1SB晶振,石英晶振,智能手机晶振,产品具有高精度超小型的表面贴片型石英晶体振荡器,最适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.比如智能手机,无线通信,卫星导航,平台基站等较高端的数码产品,晶振本身小型,薄型具备各类移动通信的基准时钟源用频率,贴片晶振具有优良的电气特性,耐环境性能适用于移动通信领域,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一.

鸿星晶振公司致力于提供最好的质量、服务和价值的客户应对不断变化的技术和环境的挑战.
Hosonic专注于自己的核心技术和鼓励员工的创造力,创新和团队合作.
鸿星集团,现在,是一家专业生产石英晶体谐振器、晶体振荡器制造商在世界上.自1979以来,我们一直致力于双直插封装（DIP）和表面贴装器件（SMD）石英晶体的研究、设计、制造和销售.

T1SB

鸿星晶振	单位	T1SB晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	19.2/26/38.4/52MHz	标准频率
储存温度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C～+85°C	标准温度
激励功率	DL	200μWMax.	推荐:1μW～100μW
频率公差	f_—l	±10ppm ±15ppm ±30ppm	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±10×10-6	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	12.5pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+125°C,DL=100μW
频率老化	f_age	±3×10-6/yearMax.	+25°C,第一年

T1SB

晶体单元/谐振器
激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致MHZ晶振晶体产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
电源线路
电源的线路阻抗应尽可能低.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20mm范围之间).
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的车载晶振单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

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