NX8045GB-5MHZ-STD-CSF-3晶振,NX8045GB晶振,无源晶振

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NDK晶振,NX8045GB-5MHZ-STD-CSF-3晶振,NX8045GB晶振,日本进口晶振

频率：8~40MHz

尺寸：8.0*4.5*1.8mm

超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从8.0MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求.

订购热线：0755-27838351

NX8045GB

NDK晶振,NX8045GB-5MHZ-STD-CSF-3晶振,NX8045GB晶振,无源晶振,贴片晶体具有小型,薄型,轻型的贴片晶振,产品具有优良的耐热性,耐环境特性,可发挥晶振优良的电气特性,符合RoHS规定,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求,金属外壳的封装使得产品在封装时能发挥比陶瓷谐振器外壳更好的耐冲击性.

石英晶振高精度晶片的抛光技术:贴片晶振是目前晶片研磨技术中表面处理技术的最高技术,最终使晶振晶片表面更光洁,平行度及平面度更好,降低谐振电阻,提高Q值.从而达到一般研磨所达不到的产品性能,使石英晶振的等效电阻等更接近理论值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先进的牛顿环及单色光的方法去检测晶片表面的状态.

日本电波工业株式会社作为进口晶振元器件的专业生产厂家,以“通过对客户的服务,为社会繁荣和世界和平作出贡献”的创业理念为基础于1948年成立.现在我们作为提供电子业必不可少的,在丰富用途被广泛使用的晶体元器件产品以及应用晶振技术的传感器等新的高附加价值产品的频率综合生产厂家,正以企业的继续成长为目标而努力

NX8045GB

NDK晶振	单位	NX8045GB晶振	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	8~40MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40℃~+150℃	裸存
工作温度	T_use	-40℃~+150℃	标准（有关更多信息，请参见部件号指南选项）
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±150ppm	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	8pF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

NX8045GB

激励功率
在8045晶振单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于石英晶体振荡器”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

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