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SHENZHEN KONUAER ELECTRONICS CO. LTD

TXC CRYSTAL CO.LTD

TXC晶振
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SMI晶振,贴片晶振,110SMX晶振,32.768K晶体

频率:32.768KHz

尺寸:1.6*1.0*0.5mm

贴片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型石英晶体谐振器,日产晶振产品本身具备优良的耐热性,耐环境特性,在办公自动化,家电领域,移动通信领域可发挥优良的电气特性,符合无铅标准,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,金属外壳的石英晶振使得产品在封装时能发挥比陶瓷晶振外壳更好的耐冲击性能.

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TC-1

SMI晶振,贴片晶振,110SMX晶振,32.768K晶振.超小型,薄型,质地轻的表面贴片音叉型晶体谐振器,手机晶体,产品体积小,特别适用于各种小巧的便携式消费电子数码产品,在移动通信领域得到了广泛的应用,晶振产品本身可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

晶振的真空封装技术:是指石英晶振在真空封装区域内进行封装.1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生;2.使晶振组件在真空下电阻减小;3.气密性高.此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一.

TC-2


SMI晶振

单位

110SMX晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

32.768KHz

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C+125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C+85°C

标准温度

激励功率

DL

100μWMax.

推荐:1μW100μW

频率公差

f_—l

±10ppm,±15ppm,

±20ppm,±30ppm,


+25°C对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±10ppm,±15ppm,

±20ppm,±30ppm,

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

7pF,9pF,12.5pF,

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+125°C,DL=100μW

频率老化

f_age

±3×10-6/yearMax.

+25°C,第一年

TC-3

110SMX 1610

TC-4晶振使用注意事项

使用贴片晶振时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.

智能手机晶振单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).

负极电阻

除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容).

负载电容

振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用晶振之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的晶体单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

静电

过高的静电可能会损坏32.768K晶体,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.

110SMX

TC-5


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