SMI晶振,有源晶振,327SMO(G)晶振,低功耗7050晶振
频率：32.768KHz
尺寸：7.0*5.0*1.35mm
贴片7050晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体振荡器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
SMI晶振,有源晶振,327SMO(G)晶振,低功耗7050晶振.小型SMD有源晶振,从最初超大体积到现在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm体积,有着翻天覆地的改变,体积的变小也使产品带来了更高的稳定性能,接缝密封石英晶体振荡器,精度高,覆盖频率范围宽的特点,SMD高速自动安装和高温回流焊设计,Optionable待机输出三态输出功能,电源电压范围:1.8V?5V,高稳定性,低抖动,低功耗,主要应用领域:无线通讯,高端智能手机,平板笔记本WLAN,蓝牙,数码相机,DSL和其他IT产品的晶振应用,三态功能,PC和LCDM等高端数码领域,符合RoHS/无铅.
石英晶振曲率半径加工技术:石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计(a、球面的余弦磨量;b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算).
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SMI晶振 |
327SMO(G)晶振 |
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输出类型 |
CMOS |
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振荡模式 |
基本/第三泛音 |
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电源电压 |
+1.8V,+2.5V+,3.0V,+3.3V~+5.0V |
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频率范围 |
32.768KHz |
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频率稳定度 |
±25ppm,±30ppm |
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工作温度 |
-40~+85℃ |
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保存温度 |
-55~+100℃ |
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电压卷（最大值）/ VOH（最小值） |
0.1 VDD / 0.9 VDD |
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启动时间 |
5 ms Max. |
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相位抖动（12兆赫~20兆赫） |
1个PS最大. |
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老化率 |
±3 ppm /年最大. |
晶振使用注意事项
使用日产晶振时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.
在晶振单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用晶振之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).
噪音
在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.
输出负载
建议将输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20mm范围之间).
未用输入终端的处理
未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加；因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.
热影响
重复的温度巨大变化可能会降低受损害的晶体单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.
安装方向
振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.
通电
不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.
卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用有源晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.
静电
过高的静电可能会损坏32.768K晶体,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.
深圳市康华尔电子有限公司
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