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TXC晶振
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SMI晶振,差分晶振,63SMOVH晶振,日本进口有源晶振

频率:40~170MHz

尺寸:3.2*2.5*0.9mm

小型贴片石英晶振,外观尺寸具有薄型表面贴片型差分晶振LVDS,特别适用于有小型化要求的市场领域,比如智能手机,无线蓝牙,平板电脑等电子数码产品.晶振本身超小型,薄型,重量轻,晶体具有优良的耐环境特性,如耐热性,耐冲击性,在办公自动化,家电相关电器领域及WirelessLAN等短距离无线通信领域可发挥优良的电气特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

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TC-1

SMI晶振,差分晶振,63SMOVH晶振,日本进口有源晶振.超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

3225晶振曲率半径加工技术:石英晶振晶片在球筒倒边加工时应用到的加工技术,主要是研究满足不同曲率半径石英晶振晶片设计可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半径的工艺设计(a、球面的余弦磨量;b、球面的均匀磨量;c、球面加工曲率半径的配合)2、在加工时球面测量标准的设计原则(曲率半径公式的计算).

TC-2


SMI晶振

63SMOVH晶振

输出类型

LVDS

振荡模式

基本/第三泛音

电源电压

+3.3V

频率范围

40~170MHz

频率稳定度

±20ppm,±25ppm,±30ppm,±50ppm

工作温度

-20~+70℃,-40~+85℃

保存温度

-40~+100℃

电压卷(最大值)/ VOH(最小值)

0.1 VDD / 0.9 VDD

启动时间

5 ms Max.

相位抖动(12兆赫~20兆赫)

1个PS最大.

老化率

±3 ppm /年最大.

TC-3

63SMOVH(1)_5032

TC-4晶振使用注意事项

使用贴片晶振时,请在产品规格说明或产品目录规定使用条件下使用.

石英晶振单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率(请参阅“激励功率”章节内容).

负载电容

振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用晶振之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容).

噪音

在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

输出负载

建议将输出负载安装在尽可能靠近振荡器的地方(在20mm范围之间).

未用输入终端的处理

未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.

热影响

重复的温度巨大变化可能会降低受损害的晶振单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向

振荡器的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电

不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.

静电

过高的静电可能会损坏日本进口晶体,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.

63SMOVH

TC-5

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