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SHENZHEN KONUAER ELECTRONICS CO. LTD

TXC CRYSTAL CO.LTD

TXC晶振
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Ecliptek日蚀晶振E1S,E1SDA12-25.000M TR石英贴片晶振

频率:3.579545MHz to 50MHz

尺寸:13.3*4.85

Ecliptek日蚀晶振E1S,E1SDA12-25.000M TR石英贴片晶振,ECLIPTEK日蚀晶振,美国进口晶振,E1S系列晶振是一款小体积晶振尺寸13.3x4.85mm晶振,E1SJA18-20.000M TR两脚贴片晶振,E1SDA12-25.000M TR石英晶振,无源晶振,SMD晶体,E1SJA18-14.31818M TR石英晶体谐振器,MHz晶体,E1SEA18-12.000M TR无铅环保晶振,被广泛用于移动通讯设备,无线网络晶振,蓝牙模块晶振,汽车电子晶振,医疗设备,物联网等应用。
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TC-1

Ecliptek日蚀晶振E1S,E1SDA12-25.000M TR石英贴片晶振,ECLIPTEK日蚀晶振,美国进口晶振,E1S系列晶振是一款小体积晶振尺寸13.3x4.85mm晶振,E1SJA18-20.000M TR两脚贴片晶振,E1SDA12-25.000M TR石英晶振,无源晶振,SMD晶体,E1SJA18-14.31818M TR石英晶体谐振器,MHz晶体,E1SEA18-12.000M TR无铅环保晶振,被广泛用于移动通讯设备,无线网络晶振,蓝牙模块晶振,汽车电子晶振,医疗设备,物联网等应用。

TC-2

Ecliptek日蚀晶振E1S,E1SDA12-25.000M TR石英贴片晶振,参数图

日蚀晶振

单位

E1S晶振

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

3.579545MHz to 50MHz


标准频率

储存温度

T_stg

-55℃~+125℃

裸存

工作温度

T_use


-40℃~+85℃

标准(有关更多信息,请参见部件号指南
选项)

激励功率

DL

200μW Max.

推荐:1μW ~ 100μW

频率公差

f_— l


±150ppm

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.txccrystal.cn/

频率温度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

8pF

不同负载电容要求,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

TC-3Ecliptek日蚀晶振E1S,E1SDA12-25.000M TR石英贴片晶振,尺寸图E1SAA18-25.000M TR 49SMDTC-4

Ecliptek日蚀晶振E1S,E1SDA12-25.000M TR石英贴片晶振

在使用晶振时应注意以下事项:
1:抗冲击
抗冲击是指晶振产品可能会在某些条件下受到损坏.例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击.如果产品已受过冲击请勿使用.因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响.
2:辐射
将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射.
3:化学制剂 / pH值环境
请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品.
4:粘合剂
请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂.(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能.)
5:卤化合物
请勿在卤素气体环境下使用晶振.即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀.同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂.   Ecliptek日蚀晶振E1S,E1SDA12-25.000M TR石英贴片晶振
6:静电
过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作

进口晶振 供应商 系列 类型 频率 频率稳定性
E1SJA18-7.3728M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 7.3728 MHz ±30ppm
E1SCA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 8 MHz ±100ppm
E1SFA18-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 25 MHz ±50ppm
E1SJA18-4.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 4 MHz ±30ppm
E1SJA18-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 25 MHz ±30ppm
E1SEA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 8 MHz ±50ppm
E1SDA12-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 25 MHz ±50ppm
E1SFA12-3.6864M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 3.6864 MHz ±50ppm
E1SJA18-6.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 6 MHz ±30ppm
E1SJA18-18.432M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 18.432 MHz ±30ppm
E1SFA18-4.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 4 MHz ±50ppm
E1SJA18-14.31818M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 14.31818 MHz ±30ppm
E1SJA18-6.144M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 6.144 MHz ±30ppm
E1SJA18-28.63636M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 28.63636 MHz ±30ppm
E1SJA18-13.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 13 MHz ±30ppm
E1SJA18-19.6608M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 19.6608 MHz ±30ppm
E1SJA18-9.8304M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 9.8304 MHz ±30ppm
E1SJA18-18.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 18 MHz ±30ppm
E1SJA18-20.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 20 MHz ±30ppm
E1SJA18-14.7456M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 14.7456 MHz ±30ppm
E1SCA18-7.3728M TR Ecliptek E1S贴片晶振 MHz 晶体 7.3728 MHz ±100ppm
E1SEA18-16.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 16 MHz ±50ppm
E1SEA18-12.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 12 MHz ±50ppm
E1SJA18-10.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 10 MHz ±30ppm
E1SJA18-12.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 12 MHz ±30ppm
E1SJA18-11.0592M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 11.0592 MHz ±30ppm
E1SJA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 8 MHz ±30ppm
E1SJA18-16.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 16 MHz ±30ppm
E1SJA18-3.579545M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 3.579545 MHz ±30ppm
E1SJA18-4.194304M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 4.194304 MHz ±30ppm
E1SJA18-16.9344M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 16.9344 MHz ±30ppm
E1SJA18-5.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 5 MHz ±30ppm
E1S.TC-5

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